狂扫全球硅晶圆产能 三星3D NAND、DRAM、7纳米制程大扩产

日期: 2017-09-11
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2017年三星电子(Samsung Electronics)同步启动DRAM、3D NAND及晶圆代工扩产计划,预计资本支出上看150亿~220亿美元,远超过台积电100亿美元和英特尔(Intel)120亿美元规模,三星为确保新产能如期开出,近期传出已与多家硅晶圆供应商洽谈签长约,狂扫全球硅晶圆产能,并传出环球晶已通知客户自2018年起硅晶圆供应量将减少30%,主要便是为支持三星产能需求做准备。


三星为因应DRAM和3D NAND市场强劲需求,加上在逻辑事业全力投入7纳米制程,企图与台积电一较长短,抢回苹果(Apple)处理器芯片订单,三星2017年资本支出估计将高达150亿~220亿美元,且上半年资本支出已达110亿美元,较2016年同期成长3倍。


不过,全球硅晶圆产业却面临10年以来的最大缺口,全球半导体厂陷入抢货狂潮,无论是台积电、三星、英特尔之间的7纳米制程战火,或是2017年跃升主流且由三星、美光(Micron)、东芝(Toshiba)、SK海力士(SK Hynix)联手启动的3D NAND大战,甚至是大陆蓄势待发将有超过20座的半导体晶圆厂,都苦陷硅晶圆缺货潮。


近期业界传出三星为确保新增的逻辑芯片、3D NAND及DRAM等产能拥有充足的硅晶圆货源,让2018年下半及2019年新产能如期开出,三星开始与环球晶、信越、SUMCO、Siltronic等硅晶圆供应商洽谈长约,有意包下硅晶圆产能。


硅晶圆业者表示,未来两年三星在逻辑芯片、3D NAND、DRAM等芯片新增产能,预计每月可达20万片12吋晶圆,合计现有的12吋晶圆产能需求,估计到2019年三星每月需要的12吋晶圆将高达100万片,因此,三星对于巩固硅晶圆产能相当重视。


近期环球晶开始通知半导体客户,2018年硅晶圆供货量将减少30%,让客户十分恐慌,并开始向信越、SUMCO、Siltronic等其他供应商求助,更加重市场缺货氛围,业界猜测环球晶应是获得重要客户的大订单,才会减少现有客户的配货量,并推测该客户便是三星。


环球晶借由购并Sunedison在半导体硅晶圆领域获得充分产能,而Sunedison原本就是三星主要的硅晶圆供应商,环球晶借此购并案顺利打入韩系客户供应链。不过,之前Sunedison与三星签长约的价格十分低,预计该合约出货已近尾声,适逢这波史上最剧烈的硅晶圆缺货潮,环球晶可望趁此和三星重谈价格漂亮的新约,而三星为包下足够产能将不惜一切代价。


近期三星扩产计划包括扩大投资华城厂17号生产线的DRAM、3D NAND产能,以及加码平泽厂3D NAND产能、大陆西安3D NAND扩产计划等,原本预计2018年动工的韩国18号生产线,也提前到2017年第4季动工,并早一步抢下洛阳纸贵的ASML极紫外光(EUV)机台,该厂可望成为三星生产7纳米逻辑芯片的主要基地。 

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