兆易创新DRAM芯片项目完成资金募集,首款芯片2021年量产

日期: 2020-07-27
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近日,兆易创新在投资者互动平台上表示,公司DRAM芯片自主研发及产业化项目于2020年5月完成资金募集,现项目研发工作正在进行中。


2019年9月,兆易创新发布非公开发行股票预案,拟募集资金总额不超过人民币43亿元,用于DRAM芯片自主研发及产业化项目及补充流动资金,以实现国内存储芯片设计企业在DRAM领域的突破。

兆易创新DRAM芯片项目完成资金募集,首款芯片2021年量产

公告显示,兆易创新DRAM芯片研发及产业化项目计划投资总额约40亿元,拟投入募集资金33亿元。兆易创新拟通过本项目,研发1Xnm级(19nm、17nm)工艺制程下的DRAM技术,设计和开发DDR3、LPDDR3、DDR4、LPDDR4系列DRAM芯片。


根据兆易创新此前发布的《非公开发行A股股票申请文件一次反馈意见的回复》显示,兆易创新对DRAM芯片研发及产业化项目各个阶段的实施时间、整体进度进行了安排。

兆易创新DRAM芯片项目完成资金募集,首款芯片2021年量产

根据安排,兆易创新计划在2020年定义首款芯片的生产制程,并将经过验证后的设计展开流片试样,经过反复测试、反复修改直到样片设计符合设计规范并通过系统验证;2021年,首款芯片客户验证完成后进行小批量产,测试成功后进行大批量产;2022年至2025年,兆易创新计划完成多系列产品陆续研发及量产。


资料显示,兆易创新自2005年设立并进入闪存芯片设计行业,通过技术开拓、业务并购,目前已成为中国大陆最为领先的芯片设计企业之一,其主营业务为闪存芯片及其衍生产品、微控制器产品、传感器模块的研发、技术支持和销售。


上述项目的实施有助于兆易创新丰富自身产品线,提升我国在全球存储器产业地位。


兆易创新表示,本次非公开发行是公司打造国内领先存储器厂商、全球领先芯片设计公司的关键战略。项目实施完毕后,兆易创新在存储器领域的产品结构将得到进一步丰富,在NOR Flash、NAND Flash基础上切入DRAM存储芯片,届时,兆易创新将掌握DRAM技术、具备DRAM产品设计能力。


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